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MOS管
产品简介: 一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。MOS管的source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
场效应管分为PMOS管(P沟道型)和NMOS(N沟道型)管,属于绝缘栅场效应管。

P/N

Configuration

Channel

Vds(V)

Vgs(V)

ID(A)

PD(W)

Rds@VGS
=±10V(mΩ)

Rds@VGS
=±4.5V(mΩ)

Rds@VGS
=±2.5V(mΩ)

VGS(th)(V)

Quantity

Package

ECAD2004T

SINGLE

N

20

±8

0.7

0.28

 

190

240

1

10000

DFN1006-3L

ECAD2005T

SINGLE

P

-20

±8

-0.5

0.3

 

465

610

-1

10000

DFN1006-3L

ECDA1012E

SINGLE

N

20

±10

0.5

0.32

 

170

240

1.1

3000

SOT-23

ECDA1013E

SINGLE

P

-20

±10

-0.5

0.32

 

560

830

-1.2

3000

SOT-23

ECDA3401

SINGLE

P

-30

±12

-4.4

1.2

 

55

68

-1.4

3000

SOT-23

ECDF2301

SINGLE

P

-20

±8

-2.0

0.25

 

89

108

-1

3000

SOT-323

ECDH1013E

SINGLE

P

-20

±6

-0.7

0.27

 

350

440

-1.2

3000

SOT-523

ECDK1012

SINGLE

N

20

±10

0.65

0.25

 

250

300

1

10000

SOT-723

ECG2300

SINGLE

N

30

±12

3.6

1.7

 

68

85

1.5

3000

SOT23-3L

ECG2301B

SINGLE

P

-20

±10

-1.5

0.7

 

140

190

-1

3000

SOT-23

ECG2302B

SINGLE

N

20

±12

3.3

0.9

 

45

60

1.2

3000

SOT-23

ECG2312A

SINGLE

N

20

±10

6.8

1.2

 

13.5

17

1

3000

SOT-23

EC4302

DUAL

N

30

±10

0.6

0.9

 

0.35

0.55

1

3000

DFN2*2-6L

EC4511

DUAL

P

-20

±8

-2.9

1.1

 

110

150

-0.9

3000

DFN2*2-6L

EC5312

DUAL

N

20

±12

0.5

2

 

0.3

0.6

1.2

3000

DFN3*2-8L

EC5314

DUAL

N

20

±12

0.5

2

 

0.3

0.6

1.2

3000

DFN3*2-8L

ECG5853

DUAL

P

-20

±8

-2.9

1.1

 

110

150

-0.9

3000

DFN3*2-8L

ECAL30N03A

SINGLE

N

30

±20

30

21

8

10

 

2.5

3000

DFN3.3*3.3-8L

ECAL42P03S

SINGLE

P

-30

±20

-42

37

14

22

 

-2.5

3000

DFN3*3-8L

ECAL50N03B

SINGLE

N

30

±20

50

30

4.9

 

 

2.2

3000/5000

DFN3.3*3.3-8L

ECAP52N03S

SINGLE

N

30

±20

52

27

5

 

 

2.5

3000

DFN5*6-8L

ECAP100N03S

SINGLE

N

30

±20

100

56.8

2

 

 

2

2500

DFN5*6-8L

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